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一种紧凑型感应耦合低温等离子体干法刻蚀系统

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明的目的就是为了克服现有湿法刻蚀化合物半导体特别是Ⅲ-V族化合物半导体时所产生的精度差、刻蚀速率低、选择性差、对被刻蚀损伤大等的缺点而发明的一种能高速率、低损伤、高精度及具有良好选择性的亚微米级精细图形的刻蚀系统及方法，本发明是一种能刻蚀精细图形、不影响半导体性能、器件特性及使用寿命，并且精度高、刻蚀速率高、选择性好、损伤小的紧凑型感应耦合低温等离子体(ICP)干法刻蚀系统及刻蚀方法。...
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