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一种制备氧化锌纳米线的简易湿化学方法

2006年

应用技术

初期阶段

成果简介

半导体纳米粒子由于量子限域效应表现出奇异的光学、电学特性，使其在光电子器件中具有潜在的应用价值。宽带隙半导体材料，如ZnO、ZnSe和GaN等独特的光学性质正日益受到广泛的关注。氧化锌是一种自激活半导体材料，禁带宽度为3.3 eV，室温下的激子结合能高达60 meV，远大于ZnSe的22 meV和GaN的25 meV，也大于ZnO在室温下的热离化能(26 meV)。这些特性使ZnO更易在室温下实现...

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