首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

横向高压器件及其制造方法

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用外延工艺依次形成第二导电类型半导体子漂移区，在第二导电类型半导体子漂移区中注入形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层和第一导电类型半导体体区，本发明是将传统的漂移区结构制作为多层漂移...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统