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具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种具有U型延伸栅的SOI槽型LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的基础上，通过将普通槽栅延伸至漏端，形成U型延伸栅，并在有源层中引入介质槽，介质槽中填充材料的介电系数低于有源层的介电系数。本发明一方面，在导通状态，U型延伸栅侧壁形成多子积累层，形成电流的低阻通道，降低导通电阻；另一方面，在阻断状态，介质槽调制器件横向电场，改善器件表面和体内电场分布，提高器件...

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