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SOI横向MOSFET器件

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本发明涉及半导体功率器件和功率集成电路。本发明公开一种ＳＯＩ横向ＭＯＳＦＥＴ器件。其技术方案是：采用纵向延伸至介质埋层的槽栅；在漂移区引入介质槽，其介质的介电系数小于有源层的介电系数，并在介质槽中形成埋栅，从而构成本发明的ＳＯＩ横向ＭＯＳＦＥＴ器件。本发明一方面使器件耐压大大提高并缩小器件横向尺寸，起主要作用的是介质槽；另一方面，槽栅增大了器件有效纵向导电区域；同时，槽栅和埋栅使沟道密度和电流...

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