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一种SOI横向功率MOSFET器件

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种SOI横向功率MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在漂移区引入介质槽，槽内填充两种或两种以上的介质材料，且介质材料的介电系数低于有源层的介电常数，同时介电系数自下而上逐渐递减；介质槽靠近体区一侧具有体区纵向延伸结构；介质槽与介质埋层之间具有与漂移区掺杂类型相反的半导体埋层。变k介质材料填充的介质槽对有源层内电场的调制作用和纵向折叠漂移区的作用使得器件耐压大大提高并缩小器件横...

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