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一种槽型横向MOSFET器件的制造方法

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种槽型横向MOSFET器件的制造方法，属于功率半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、热生长形成绝缘介质层、淀积半导体层、平坦化半导体层、倾斜离子注入、高温推结、淀积绝缘介质以及平坦化绝缘介质，最后形成有源区和电极等关键工艺步骤，实现了一种槽型横向半导体器件的工艺制造。
　　本发明的工艺有以下优点：
　　第一，本发明可以在槽两侧壁形成两种不同掺杂类型、窄且高浓度的...

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