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一种具有结型场板的SOI功率LDMOS器件

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。这种JFP?SOI?LDMOS器件采用PN结作为场板，并利用高K介质作为场板介质。一方面，结型场板的PN结电场调制器件表面电场，改善器件的电场分布，提高器件耐压；另一方面，在反向阻断状态时，结型场板辅助耗尽器件漂移区，使器件漂移区掺杂浓度大幅提高，从而降低导通电阻；高K介质用作场介质层，更有利于导通电阻和静态功耗的降低...

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