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一种横向SOI功率半导体器件

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体掺杂区中间夹一个第二半导体掺杂区形成三明治结构，其中第一半导体掺杂区的导电类型与源区结构中的第一导电类型半导体体区的导电类型不同；在两个第一半导体掺杂区的外侧面分别具有一层高k...
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