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一种槽型半导体功率器件

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种槽型半导体功率器件，涉及槽型半导体功率器件技术领域，包括衬底层和有源层，所述有源层中形成有槽栅，槽栅纵向至少伸入到有源层中；在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽，阶梯型的介质槽宽度较大的那一端更接近衬底层，介质槽分别与漏区和体接触区接触；介质槽中介质的介电系数小于有源层材料的介电系数；本发明具有以下优点：
　　第一、器件耐压大大提高；
　　第二、槽栅...
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