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基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件

2016年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　基于衬底偏压技术的功率器件结构无一例外采用SOI基结构，利用埋介质层的绝缘特性阻断半导体有源层和衬底层的电流通路，通过衬底电场对体内电场的调制作用，改善耐压特性。但SOI基功率器件不可避免的带来制造工艺难度大、成本高、安全工作区小和可靠性低的问题，基于衬底偏压技术的硅基功率器件结构尚未见报道。在硅基器件中采用衬底偏压技术可以避免上述SOI基器件结构的缺点，通过在硅基功率器件中衬底形成一个pn结...
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