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微纳MOS器件空间辐射效应数值模拟与试验研究

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　随着集成电路的发展和制造工艺的进步，半导体特征尺寸急剧减小至超深亚微米甚至纳米尺度。器件性能、电路密度及每个晶体管的成本等得以大大改善。基于深亚、超深亚微米及纳米工艺的新型半导体“微纳”器件具有低功耗、高速度等优点，可以满足卫星对于高性能及小型轻便化的迫切要求，受到航天等领域青睐。但是，同大尺寸器件一样，微纳器件在空间飞行器中的应用将受到辐射环境因素的制约。由于尺寸缩小及工艺改进，微纳器件显示...
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