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一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法

2016年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　本发明涉及一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法，所述方法包括：以四硫代钼酸铵为Mo源和S源，或者以钼酸铵为Mo源并以硫脲为S源，将其溶于水或者水和聚乙二醇的混合溶剂中，在200-220℃热处理12-18小时后，经分离、洗涤得到MoS2纳米片，其中控制Mo源和S源的种类、浓度和/或所用溶剂以控制所述MoS2纳米片的尺寸，所制备的MoS2纳米片具有优异的性能。...

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