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超高压信号接口电路

2017年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　本发明公开了一种超高压信号接口电路，其特征在于，包括电阻R1、二极管D1和NMOS管M1，输入信号Vi由电阻R1一端输入，电阻R1的另一端连接NMOS管M1的漏极和二极管D1的阴极，二极管D1阳极接地，NMOS管M1的衬底接地，NMOS管M1的源极作为输出端，输出低压信号Vo至核心控制电路。本发明接口电路，输入电压范围高于工艺栅源极限电压、抗静电能力优于普通结构，可直接作为单片插拔接口电路，亦...

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