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采用真空熔铸法制备铬靶的方法

2017年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种采用真空熔铸法制备铬靶的方法，依下述步骤进行：
　　1、Cr块的挑选：将有氧化皮、被污染的Cr块挑出；
　　2、熔炼：将合格的Cr块装入中频真空感应炉中，升温速率为10-18℃/min，熔炼温度为1800～2000℃；
　　3、浇注：以0.6～0.8m/s的浇注速度快速浇铸到水冷Cu模中，进行快速冷却，制得Cr靶。
　　本发明通过感...
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