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高散热性能的半导体器件2

2017年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
  本实用新型提供了一种高散热性能的半导体器件。该半导体器件包括:衬底,衬底具有多个通孔,通孔从衬底的上表面贯穿至衬底的下表面;外延片,外延片生长在衬底上;其中,外延片包括位于衬底上横向生长的成核层和位于成核层上的器件结构。通过上述方式,本实用新型能够提高器件散热性能,有效降低器件工作温度。...
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