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一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法

2014年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明公开了一种沟槽平面栅MOSFET器件，包括在n+硅衬底层上面连接有n-外延层，n-外延层的上方设置有平面栅极G，平面栅极G的两侧的外延层上各设置有一个p基区，每个p基区内设置有n+源区，在表面处n+源区与p区短路形成源极S，其特征在于，在两个p基区之间，并且沿n-外延层上端中间部位开有沟槽，沟槽内部填充有多晶硅栅，该部分多晶硅栅与n-外延层之间填充有栅氧化层，该部分栅氧化层和多晶硅栅...

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