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相变存储器单元期间的复合电极结构

2014年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：
1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；
2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；
3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；
4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO2等介质材...
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