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低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法

2014年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本专利涉及了两种可应用于低功耗相变存储器的电极结构及其制备方法。这两种电极结构分别为环形电极结构和限制型电极结构。相变存储器由于其操作速度快，数据保持力好，循环操作能力强，与传统CMOS工艺兼容，并且在高密度方向优势明显，所以被认为是最有希望的下一代非挥发性存储器之一。随着器件尺寸的缩小，低功耗仍是现在相变存储器研究的热点。环形电极结构采用在下电极尺寸给定的情况下制备环形电极，减少相变材料...
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