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大功率45 mill × 45 mill LED芯片技术及其应用

2012年

应用技术

中期阶段

成果简介

本项目着重从材料质量和器件结构优化方面提高发光二极管的发光效率和可靠性，探索制约功率型照明芯片效率提高的机制，突破目前半导体照明领域面临的关键技术瓶颈。以蓝宝石图形衬底 MOCVD 外延 GaN LED 结构为核心，工艺上采用台面结构的技术路线实现半导体照明技术的产业化。
半导体照明，其意义不仅是照明方式的转化，更重要的是其在节能和环保方面的巨大作用，降低材料缺陷密度，...

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