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双层掺混结构碳纳米管薄膜场发射阴极及其制备方法
成果概况
成果类别: 应用技术 体现形式: 新技术 课题来源: 自选课题
起止时间: 2007.01 至2008.01 研究形式: 独立研究 所处阶段: 初期阶段
成果属性: 原始性创新            
成果简介
     本发明公开了一种双层掺混结构碳纳米管薄膜场发射阴极及其制备方法。采用Ti纳米粉体掺混制备CNT复合浆料,通过丝网技术印刷出单层Ti掺混结构的CNT阴极薄膜。通过两步烧结工艺,形成上层为TiO2掺混、下层为Ti掺混结构的双层掺混结构CNT复合薄膜阴极。在复合薄膜阴极的表层,导电的Ti转化为非导电的介质材料TiO2;降低了CNT相互接触而产生屏蔽效应,有利于CNT发射体增强因子的增加。在复合薄膜阴极的底部,掺混纳米材料Ti增加了CNT相互之间、CNT与衬底之间的接触面积,降低了导电电极层与CNT层的接触电阻,提高复合薄膜阴极下层CNT本身的电子传输性能。
应用前景
主要应用行业: 制造业 知识产权形式: 专利
应用状态: 产业化应用 拟转化方式:
单位概况
完成单位: 西安交通大学
单位地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
单位电话: 029-82668234;82668338          
联系方式
联系人: 朱长纯 联系人电话: 029-82668888 联系人Email:
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