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一种检测多量子阱发光二极管内部量子点密度的方法

2010年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明提供一种检测InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度大小的方法。由于InGaN/GaN多量子阱发光二极管为InGaN量子点发光，那么，其内部量子点密度的大小就决定了其发光性能的优劣。本发明根据InGaN/GaN多量子阱发光二极管开启电压随其内部量子点密度增大而逐渐增大的变化关系，通过测量其开启电压的大小来判定其内部量子点密度的大小。在保证电极为欧姆接触的情况下，发光二极管的...
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