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3d过渡金属的阳—泰勒效应,共掺杂及光磁性质

2010年 基础理论
  • 成果简介
　　本项目研究的重点是3d过渡金属离子掺杂和共掺杂在半磁半导体中的特殊光和磁现象。微量3d过渡金属离子掺入半导体，被称为（具有广泛应用价值的）半磁半导体。理论研究3d离子在半磁半导体光学和磁学性质，大都采用晶体场理论，但晶体场理论在研究半磁半导体时遇到困难。
　　1、利用分子轨道理论，在国际上首次推导了3d4和3d6离子在静电场、晶体场、自旋－轨道耦合以及动态阳－泰勒效应作用下的哈密顿...
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