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太阳能硅片防光致衰减技术

2010年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
技术说明：
该项目用镓替代硼作为掺杂剂，提高了单晶硅片的抗衰减效果；在工艺上采用掺杂剂分次加入、调整拉升速率、加快坩埚、晶转速率等方法，减小了晶体头尾电阻率的差异，提高了晶体的利用率。产品具有光电转换效率高、衰减率低等特点。
技术性能指标：
产品主要技术指标符合相关标准要求。
1）基体总金属杂质含量≤45ppb...
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