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节能高效半导体（固体）白光照明用ZnO基LED

2009年

应用技术

成果简介

ZnO有很高的激子束缚能（60meV），远高于其它宽禁带半导体材料（GaN为25meV，ZnSe为22meV），也高于室温的热能（26meV），因而ZnO激子室温下是稳定的，可以实现室温或更高温度下的激子复合发光，相对于电子-空穴对的复合发光而言，激子发光效率更高，所需激射阈值更低。所以，ZnO是一种理想的短波长发光器件材料，在蓝-紫外波段的发光二极管（LED）、激光器（LD）和探测器等领...

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