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多弧等离子体束沉积氮化碳超硬技术研究

2001年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　1、根据强迫晶化原理，利用过渡层技术控制氮化碳超硬相晶体结构的生长。理论研究表明：C3N4的晶体结构除了β相外，还可能有α相、c相、pc相以及类石墨相。在C3N4的生长过程中存在多相竞争，容易形成非晶态，这是当前氮化碳超硬膜制备研究的主要困难。我们采用β－Si3N4、TiN和ZrN作过渡层，促进单一硬质相晶体结构的生长，同时抑制类石墨相的产生。我们用PCVD方法制备CNx，N含量最高已达53%...

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