首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

薄层SOI高压驱动集成电路

2009年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本成果围绕SOI高压器件耐压与背栅效应、高压互连技术和高低压兼容工艺进行研究。提出SOI高压器件的体内场降低REBULF技术，提出薄层SOI高压器件的场氧离子注入IFO技术。基于上述技术，开发1μm超薄层SOI高低压兼容工艺，成功研制1μm超薄层PDP高压寻址驱动集成电路。
(1)提出SOI体内场降低REBULF技术。基于背栅场控效应，降低SOI横向高压器件体内高场区电...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统