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准照明级LED光源产业化关键技术攻关——氮化镓基垂直LED芯片技术研究

2009年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

主要研究内容
1. 提高氮化镓基LED出光效率的纳米技术研究
通过对蓝宝石衬底上外延生长的GaN（氮化镓）基发光材料进行结构上的设计和优化，提高外延片晶体质量（降低位错密度和晶格失配度）；在此基础上，研究开发粗化薄膜技术及与之匹配的新工艺ITO（铟锡氧化物）膜量产芯片的工艺技术。
2. 氮化镓基垂直LED芯片技术研究
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