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红外—近红外波长上转换探测器

2009年

应用技术

中期阶段

成果简介

本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外-近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/InyGa1-yAs/GaAs组成；所说的单量子阱发光二极管由GaAs势垒层和InzGa1-zAs有源势阱层组成。本发明的优点是能实现偏压下正入射辐射的长波热红外向容易被CCD相机成像的近红外光的转换，无需制作光栅，简化了探...

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