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硅衬底氮化镓LED芯片

2009年 应用技术
  • 成果简介
晶能光电成功地解决了硅衬底氮化镓基外延材料龟裂、发光二极管亮度低、工作电压高、可靠性差等问题，开发成功的硅衬底氮化镓基发光二极管外延材料质量和器件性能均处于国际同类材料与器件的领先水平。
863专家组对此项技术的评价是：“打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底半导体照明技术方案三足鼎立的局面...
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