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无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱

2004年

应用技术

中期阶段

成果简介

本发明公开了一种无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面探测器。该探测器是在GaAs衬底上通过分子束外延依次形成下电极层、多量子阱和上电极层。
上电极层为平面形，然后在其上蒸镀一定厚度的金属层。在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成与典型的光栅耦合效率相似的横向传播光波。随着大规模及超大规模焦平面器件的发展，上电极层上制备均匀的光栅变得越来越困难，而采...

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