首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

稀磁半导体异质结构的自旋极化输运性质

2002年 应用技术
  • 成果简介
采用格林函数方法和群速近似研究在电场、磁场作用下电子渡越稀磁半导体异质结构的自旋过滤及自旋分离的特征。研究表明具有不同自旋指向的极化电子渡越同一稀磁半导体异质结构，不仅隧穿几率存在着显著的差异，而且渡越时间的差异可达几个数量级。这种差异随着外磁场的增强而加大，而随外电场的增强而减小。结果意味着稀磁半导体异质结构具有很好的自旋过滤效果，且极化电子渡越此类结构在时间上是分离的。...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统