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共轭聚合物低维异质结构中量子限制下的激子相干研究

2002年 应用技术
  • 成果简介
量子阱、纳米线以及量子点半导体纳米结构或其异质结构在光学、电子学及光电子学的材料与器件等方面表现出许多奇特的性质，激子限域效应是其重要性质之一。激子限域效应的存在使激子的结合能增大，激子的发光效率提高几个数量级等。若用嵌段低维聚合物纳米线异质结构量子阱代替半导体的量子阱，则其具有构造容易、成本低以及激子的量子限域效应更强等优点。如果用HOMO-LUMO或π-π*的禁带EAg和 EBg分别表...
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