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以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法

2002年

应用技术

中期阶段

成果简介

本发明属于微电子学与固体电子学中半导体材料的制造工艺，进一步说是一种以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料制备方法。
　　绝缘体上的硅即SOI（SilicononInsulator）电路具有高速、低功耗、抗辐射等优点，在航空航天、军工电子、便携式通讯系统等方面具有重要应用背景，被认为是二十一世纪的硅集成电路技术，倍受人们重视。
目前的SOI材料均采用SiO_2作...

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