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一种在孔洞结构中制作单个纳米材料的方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及纳米材料的制备领域，公开了一种在孔洞结构中制作单个纳米材料的方法。首先在基底上刻蚀出微小的孔洞，然后将金属或者氧化物薄膜定位沉积在孔洞的底部，在高温退火下形成所需要的单个纳米颗粒，或者在金属或氧化物薄膜的作用(例如催化作用)下采用气相法或液相法生长出单根的一维纳米材料。本方法具有工艺简单、位置可控等优点，通过控制孔洞的位置，可以实现单根纳米材料的定位生长。本发明可大面积阵列式制备...
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