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PDP显示器选址驱动芯片

2007年

应用技术

成果简介

　　该PDP驱动芯片设计了一种能与标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS的新型器件结构，提出了单阱非外延工艺的实现方法，并在无锡上华半导体公司的标准CMOS工艺线上实现，从而大大地降低了芯片制造成本。芯片的最高耐压达100V、最大电流50mA，稳定工作电压90V、电流40mA，且可翻转极性输出64路高压并行输出；设有4组16位双向移位寄存器，由外部时钟和锁存器进行数据控制，最大时钟工作频率达...

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