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SiGe异质结微波晶体管(HBT)

2003年

应用技术

成果简介

清华大学微电子所申请的SiGe材料外延系统的国内发明专利已获批准，该设备的特点是：具有中国自主的知识产权，采用电阻加热方法，升温速度快，无对人体有害辐射。生长温度低，适于浅结和小尺寸器件的制作。操作简便，生长成本低，生产效率高，适于批量生产。设备的价格是国外同类产品的五分之一到十分之一。清华微电子所已用上述设备制备的高质量的SiGe异质结材料研制出SiGe微波功率HBT。用2μm工艺，研制出高成品...

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