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MOCVD生长GaAlAs/GaAs HBT材料

2005年

应用技术

成果简介

1.成果内容简介：该成果采用MOCVD生长HBT材料，解决了GaAs体材料的纯度，找到了克服GaAlAs氧沾污的方法，尤其是采用最新的P-GaAs掺C技术，满足了异质结与P-N结的陡峭分布，做到了基区很薄(80纳米)且P型浓度很高(4×10^9cm^(-3))。采用该技术生长的材料已做出fT=30GHz，fax40GHz的HBT器件，研制出5种HBT电路。2.技术指标：纯度 GaAs μ300≥7...

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