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应变层量子阱和超晶格的能带裁剪和器件设计新方案

2001年

应用技术

成果简介

该项目研究半导体应变层量子阱和超晶格的能带剪裁理论和方法，为器件设计提供核心设计参数－两种不同半导体之间的能带带阶。在密度泛函理论第一性原理能带计算获得能带结构的基础上，用该课题组建立的平均键能(ABE)理论和计算方法，系统地计算了InP，InAs，GaP，GaAs，AlAs和AlP等六种化合物之间任意两种材料所组成的应变层超晶格的能带带阶，为器件设计提供理论依据和设计参数。该成果已被应用于国家科...

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