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低/高压CMOS驱动器

2000年

应用技术

成果简介

低/高压CMOS驱动器采用N阱等平面硅栅CMOS工艺。将低压控制电路与高压驱动电路兼容在同一个芯片上，它的低压控制电路工作在5-15伏电源。输入与TTL或CMOS相容，输出关态耐压大于200伏，开态吸收电流大于200mA。该集成电路在工艺设计、结构设计上与国外同类产品相比，有独到之处。如采用一次磷注入同时形成低压CMOS的阱及高压NMOS的漂移区，与低压CMOS电路工艺完全一致。不需要附加工艺步骤...

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