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大直径重掺杂硅单晶

2000年 应用技术
  • 成果简介
该大直径重掺杂硅单晶由于其掺杂浓度高，因此，用它作为衬底制作的集成电路或器件串联电阻小，功耗低，电路热稳定性好；同时，又由于砷、锑等杂质在高温下的扩散速度小，是最佳的外延衬底材料。该单晶是制作大规模集成电路开关电源中肖特基三极管、彩电变容二极管以及新型场控型高频电力电子器件不可缺少的重要基础材料。广泛用于制作CMOS集成电路及新型场控制高频电力电子器件的外延衬底材料。...
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