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半导体光电薄膜和异质结薄膜的研制和性能研究

2001年

应用技术

成果简介

该项目采用射频浅射，真空蒸发，丝网印刷，以及近距离蒸发的技术对11-VI族光电半导体材料，ITO透明导电材料等进行了制备各，结构分析，光电性能等的研究，得出如下结果：衬底温度和膜厚是影响薄膜微结构的主要因素。结构良好并具有(I11)择伟取向；氮气氛退火结果分析表明，薄膜老化可能是由于表面吸附氧捕获过剩的隔原子所致。而氮退火可以改善老薄膜的性能；对各种制备方法在II-VI族光电薄膜制备中的应用进行了...

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