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功率型发光二极管封装产业化关键技术

2006年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一、技术简要说明
　　1、功率型LED芯片与引线框架连接面采用无铅金属化固晶技术。
　　在功率LED芯片衬底蒸镀银／锡合金层的基础上，采用无铅金属化材料固晶，在引线框架碗腔内放置无铅合金镀层，引线框架采用导热率高的Cu和Al（导热率分别为398和236W/mK）为热沉，通过温控技术进行合金共熔。
　　新技术优点：
　　1）实现功率LED器件纵向结...

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