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红外光发射列阵

1997年

应用技术

成果简介

该成果是8×8二维砷化钾（GAAs）发光二级管（LED）列阵，用单片集成的方法将64只发光二极管集成于同一片GAAs衬底上制备成器件。实验采用液相外延进行材料生长，经常规工艺制备列阵芯片，最终通过金丝热压封装成器件。技术指标为：象元数目8×8，象元面积140μm×140μm；象元平均输出功率19.8μW/50mA，列阵面积16c平方米，中心波长0.87μm；列阵输出总功率1mW。该项成果在...

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