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敏感器件及材料研究

1996年 应用技术
  • 成果简介
　　采用中子嬗变掺杂直拉硅制造器件，设计了周边固支的圆平面磨片式弹性力学结构，增设温度自动补偿环节，采用微区均匀性极高的NTDCZSI片，含辐照缺陷的抛光硅片直接进入氧化工艺，实现了CZSI片中氧的可控沉淀和理想的内吸杂结构，填补了省内空白。...
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