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几种超晶格、量子阱结构中限制电子态的光谱研究

1995年 应用技术
  • 成果简介
　　限制电子态是超晶格、量子阱物理和应用最重要的问题，光谱是研究该问题的最主要的手段，该成果在国际上首次给出InGAAs/GAAs多量子阱和超晶格中电子和轻空穴形成第二类超晶格的直接证据。在国际上首先提出实现高压下调制吸收谱方法，由此发现和直接证明InGAAs/GAAs多量子阱限制态间带间跃迁能量压力系数异于体材料，并与阱宽有关，平息国外争论。国际上首次观察到调制掺杂超晶格的量子化带间跃迁，证实它...
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