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砷化镓肖特基混频二极管2EV的研制

1994年 应用技术
  • 成果简介
该器件是根据肖特基势垒理论，合理设计结构及材料参数，充分发挥半导体材料砷化镓的优点而制成的高性能微波器件。研制过程中采用的外延片的预处理、沉积和欧姆接触等工艺有独到之处，并具有变频损耗小、噪声低、线性好等优点。可广泛用于微波通信、高频仪表等领域。主要技术指标：变频损耗＜4.0DB，整流电流＞1.0MA，中频阻抗300～600Ω。该器件已在天津、北京、东北三省、河北、湖南等地方微波站应用，取得...
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