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半导体超晶格的静压光谱

1994年 应用技术
  • 成果简介
　　该成果用加静压的方法代替低温光荧光和光荧光激发谱的方法，从实验上判定短周期超晶格（GaAs）n（AlAs）n产生Ⅰ型和Ⅱ型转变时的准确的原子层数，解决了国际上长期以来未能解决的问题。同时对GaAs/AlGaAs多量子阱的静压光致发光进行了研究，也获得了一些新的结果。该成果在构思和实验结果上都具有较高水平。首次实现了DH发光管的发光波长78nm到830nm的连续调频，并提出了一种新的可调波长的激...
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