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稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1～10%，铼占0～5%，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1～10%的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入0～5%的铼，在氢气气氛中，500～650℃下还原0.5～...
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