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硅半导体温度传感器

2006年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本项目为企业自选项目，项目所依据的技术原理有：
1、依据P-N结正向压降与温度的关系原理，当电流密度J 保持不变时，P-N结的正向压降VF与温度T成正比；
2、P-N结的材料、结构、工艺原理；
3、本项目对硅半导体温度传感器正向压降与温度关系有新的发现。
本项目主要技术为硅半导体微加工技术。其性能指标如下：
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